STGE200NB60S - аналоги и описание IGBT

 

STGE200NB60S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGE200NB60S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1100 pF

Тип корпуса: ISOTOP

 Аналог (замена) для STGE200NB60S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGE200NB60S даташит

 ..1. Size:271K  st
 stge200nb60s.pdf pdf_icon

STGE200NB60S

STGE200NB60S N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESH IGBT General features VCE(sat) TYPE VCES IC TC (typ.) 1.2V 150A 100 C STGE200NB60S 600V 1.3V 200A 25 C High input impedance (voltage driven) ISOTOP Low on-voltage drop (Vcesat) Off losses include tail current Low gate charge High current capability Description Internal schematic diagram Usi

Другие IGBT... STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , FGH40N60UFD , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.