Справочник IGBT. STGE200NB60S

 

STGE200NB60S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGE200NB60S
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GE200NB60S
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1100 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 560 nC
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STGE200NB60S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGE200NB60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  st
 stge200nb60s.pdf pdf_icon

STGE200NB60S

STGE200NB60SN-channel 150A - 600V - ISOTOPLow drop PowerMESH IGBTGeneral featuresVCE(sat)TYPE VCES IC TC(typ.)1.2V 150A 100CSTGE200NB60S 600V1.3V 200A 25C High input impedance (voltage driven)ISOTOP Low on-voltage drop (Vcesat) Off losses include tail current Low gate charge High current capabilityDescriptionInternal schematic diagramUsi

Другие IGBT... STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , FGH40N60UFD , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD .

 

 
Back to Top

 


 
.