GT15G101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT15G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: TO220F
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GT15G101 datasheet
gt15g101.pdf
GT15G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT15G101 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V (sat) = 8V (Max.) (I = 170A) CE C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V
Otros transistores... GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , RJP63K2DPP-M0 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 .
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