GT15G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT15G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 40
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 400
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 15
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de GT15G101 - IGBT
GT15G101 Datasheet (PDF)
gt15g101.pdf
GT15G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT15G101 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V (sat) = 8V (Max.) (I = 170A) CE C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V
Otros transistores... GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , FGH40N60UFD , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 .
Liste
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