GT15G101 Todos los transistores

 

GT15G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT15G101
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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GT15G101 Datasheet (PDF)

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GT15G101

GT15G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT15G101 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V (sat) = 8V (Max.) (I = 170A) CE C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V

Otros transistores... GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , RJP63K2DPP-M0 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 .

History: TGH80N65F2DS | OST60N65HMF | CM75DU-24F | CM2400HC-34N | IXGT30N60B | IXGT32N170A | CY25AAJ-8

 

 
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