Справочник IGBT. GT15G101

 

GT15G101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT15G101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GT15G101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  toshiba
 gt15g101.pdf pdf_icon

GT15G101

GT15G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT15G101 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V (sat) = 8V (Max.) (I = 170A) CE C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V

Другие IGBT... GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , RJP63K2DPP-M0 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.