GT15G101 - аналоги и описание IGBT

 

GT15G101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT15G101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для GT15G101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT15G101 даташит

 ..1. Size:177K  toshiba
 gt15g101.pdf pdf_icon

GT15G101

GT15G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT15G101 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V (sat) = 8V (Max.) (I = 170A) CE C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V

Другие IGBT... GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , RJP63K2DPP-M0 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.