GT15J102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT15J102
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de GT15J102 - IGBT
GT15J102 Datasheet (PDF)
gt15j301.pdf
GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATI
gt15j321.pdf
GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Fast switching (FS Enhancement mode type High speed: tf = 0.03 s (typ.) Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector Absolu
Otros transistores... GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , FGH40N60UFD , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2