GT15J102 Todos los transistores

 

GT15J102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT15J102
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT15J102 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:307K  toshiba
 gt15j101.pdf pdf_icon

GT15J102

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GT15J102

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GT15J102

GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:214K  toshiba
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GT15J102

GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Fast switching (FS Enhancement mode type High speed: tf = 0.03 s (typ.) Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector Absolu

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History: IQGB300N120GA4 | SKM100GAL12T4 | SGTP50V60FD2PF

 

 
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