Справочник IGBT. GT15J102

 

GT15J102 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT15J102

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 400

Емкость коллектора (Cc), pf: 1100pF

Корпус: ISO220

Аналог (замена) для GT15J102

 

 

GT15J102 Datasheet (PDF)

5.1. gt15j301 en wm 20061031.pdf Size:512K _toshiba

GT15J102
GT15J102

GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30?s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

5.2. gt15j321 en wm 20061031.pdf Size:214K _toshiba

GT15J102
GT15J102

GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit: mm Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Fast switching (FS • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.03 ?s (typ.) • Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) • FRD included between emitter and collector Absolut

Другие IGBT... GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , G40N60B3 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y .

Back to Top

 


GT15J102
  GT15J102
  GT15J102
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top