Справочник IGBT. GT15J102

 

GT15J102 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT15J102
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для GT15J102

 

 

GT15J102 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:307K  toshiba
 gt15j101.pdf

GT15J102 GT15J102

 7.2. Size:295K  toshiba
 gt15j103.pdf

GT15J102 GT15J102

 9.1. Size:512K  toshiba
 gt15j301.pdf

GT15J102 GT15J102

GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:214K  toshiba
 gt15j321.pdf

GT15J102 GT15J102

GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Fast switching (FS Enhancement mode type High speed: tf = 0.03 s (typ.) Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector Absolu

Другие IGBT... GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , FGH40N60UFD , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y .

 

 
Back to Top