GT15J102 - аналоги и описание IGBT

 

GT15J102 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT15J102

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для GT15J102

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT15J102 даташит

 7.1. Size:307K  toshiba
 gt15j101.pdf pdf_icon

GT15J102

 7.2. Size:295K  toshiba
 gt15j103.pdf pdf_icon

GT15J102

 9.1. Size:512K  toshiba
 gt15j301.pdf pdf_icon

GT15J102

GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.30 s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:214K  toshiba
 gt15j321.pdf pdf_icon

GT15J102

GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth-generation IGBT Fast switching (FS Enhancement mode type High speed tf = 0.03 s (typ.) Low saturation Voltage VCE (sat) = 1.90 V (typ.) FRD included between emitter and collector Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , MBQ60T65PES , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y .

History: GT25H101 | GT20J311 | GT20J301 | GT20G102

 

 

 

 

↑ Back to Top
.