GT15Q101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT15Q101
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4
Tensión emisor-compuerta (Veg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 500
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TOP3
Búsqueda de reemplazo de GT15Q101 - IGBT
GT15Q101 Datasheet (PDF)
3.1. gt15q102.pdf Size:189K _1
GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.32 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCES 1200 V
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Liste
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