GT15Q101 Todos los transistores

 

GT15Q101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT15Q101

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 500

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TOP3

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GT15Q101 Datasheet (PDF)

3.1. gt15q102.pdf Size:189K _1

GT15Q101
GT15Q101

GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.32 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCES 1200 V

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