Справочник IGBT. GT15Q101

 

GT15Q101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT15Q101

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 500

Тип корпуса: TOP3

Аналог (замена) для GT15Q101

 

 

GT15Q101 Datasheet (PDF)

7.1. gt15q102.pdf Size:189K _1

GT15Q101
GT15Q101

GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage VCES 1200 V

Другие IGBT... GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , IXGR40N60C2D1 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 .

 

 
Back to Top