SL50T120FZ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL50T120FZ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 48 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 233 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de SL50T120FZ - IGBT
Principales características: SL50T120FZ
sl50t120fz.pdf
SL50T120FZ Features Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax =175 C Soft Fast Reverse Recovery Diode Optimized for High Speed Switching 10 s Short Circuit Capability Applications Solar Inverter UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage V 1200 V CES 100 A Ic T=25 Collector Current-
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Liste
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