SL50T120FZ - Аналоги. Основные параметры
Наименование: SL50T120FZ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 233 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для SL50T120FZ
Технические параметры SL50T120FZ
sl50t120fz.pdf
SL50T120FZ Features Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax =175 C Soft Fast Reverse Recovery Diode Optimized for High Speed Switching 10 s Short Circuit Capability Applications Solar Inverter UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage V 1200 V CES 100 A Ic T=25 Collector Current-
Другие IGBT... IKB06N60T , IKA10N60T , IKB10N60T , IKA15N60T , IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , FGH40N60SFD , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536


