SKW25N120 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKW25N120  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 313 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 260 pF

Encapsulados: TO247

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SKW25N120 datasheet

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SKW25N120

SKW25N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 40lower Eoff compared to previous generation C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls - Inverter G E - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - p

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SKW25N120

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