SKW25N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKW25N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 313 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 46 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 260 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SKW25N120 IGBT
SKW25N120 Datasheet (PDF)
skw25n120.pdf
SKW25N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiode 40lower Eoff compared to previous generationC Short circuit withstand time 10 s Designed for:- Motor controls- InverterGE- SMPS NPT-Technology offers:- very tight parameter distribution- high ruggedness, temperature stable behaviourPG-TO-247-3- p
skw25n120g.pdf
SKW25N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 40lower Eoff compared to previous generation C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls - Inverter GE- SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - para
Otros transistores... IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , FGPF4536 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 .
History: APT100GF60B2R | IKD04N60R
History: APT100GF60B2R | IKD04N60R
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035