Справочник IGBT. SKW25N120

 

SKW25N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKW25N120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K25N120
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 46 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 225 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKW25N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  infineon
 skw25n120.pdf pdf_icon

SKW25N120

SKW25N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiode 40lower Eoff compared to previous generationC Short circuit withstand time 10 s Designed for:- Motor controls- InverterGE- SMPS NPT-Technology offers:- very tight parameter distribution- high ruggedness, temperature stable behaviourPG-TO-247-3- p

 0.1. Size:324K  infineon
 skw25n120g.pdf pdf_icon

SKW25N120

SKW25N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 40lower Eoff compared to previous generation C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls - Inverter GE- SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - para

Другие IGBT... IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , FGPF4536 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 .

History: GT10J321 | TSG40N120CE | FGM622S | IKD15N60R

 

 
Back to Top

 


 
.