SKW25N120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW25N120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 46 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW25N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW25N120 даташит

 ..1. Size:476K  infineon
 skw25n120.pdf pdf_icon

SKW25N120

SKW25N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 40lower Eoff compared to previous generation C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls - Inverter G E - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - p

 0.1. Size:324K  infineon
 skw25n120g.pdf pdf_icon

SKW25N120

SKW25N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 40lower Eoff compared to previous generation C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls - Inverter G E - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - para

Другие IGBT... IKB20N60T, IKW20N60T, IKW30N60T, SL50T120FZ, IKW75N60T, SKB02N120, SKW07N120, SKW15N120, IXGH60N60, SKB02N60, SKB04N60, SKA06N60, SKB06N60, SKW10N60A, SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60