SKW10N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKW10N60A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K15N60
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 92 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 62 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SKW10N60A IGBT
SKW10N60A Datasheet (PDF)
skw10n60a.pdf
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