SKW10N60A Todos los transistores

 

SKW10N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKW10N60A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 92 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 62 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKW10N60A Datasheet (PDF)

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SKW10N60A

SKP10N60A, SKB10N60ASKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 75% lower Eoff compared to previous generationCcombined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s Designed for:- Motor controlsGE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers:- very tight parameter distribution- hig

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SKW10N60A

SKP10N60A SKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - hig

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History: IXGK120N60B | RJH60M6DPQ-A0 | HGTG20N60A4D | IHD06N60RA | IRGSL8B60K | GT50JR22

 

 
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