SKW10N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW10N60A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW10N60A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW10N60A даташит

 ..1. Size:442K  infineon
 skw10n60a.pdf pdf_icon

SKW10N60A

SKP10N60A, SKB10N60A SKW10N60A Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 75% lower Eoff compared to previous generation C combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - hig

 ..2. Size:363K  infineon
 skp10n60a skw10n60a.pdf pdf_icon

SKW10N60A

SKP10N60A SKW10N60A Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - hig

Другие IGBT... SKB02N120, SKW07N120, SKW15N120, SKW25N120, SKB02N60, SKB04N60, SKA06N60, SKB06N60, FGA25N120ANTD, SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60, SKW30N60, SKB15N60HS, SKW20N60HS, IKB01N120H2, SKB06N60HS