Справочник IGBT. SKW10N60A

 

SKW10N60A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKW10N60A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K15N60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKW10N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  infineon
 skw10n60a.pdf pdf_icon

SKW10N60A

SKP10N60A, SKB10N60ASKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 75% lower Eoff compared to previous generationCcombined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s Designed for:- Motor controlsGE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers:- very tight parameter distribution- hig

 ..2. Size:363K  infineon
 skp10n60a skw10n60a.pdf pdf_icon

SKW10N60A

SKP10N60A SKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - hig

Другие IGBT... SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , IXGH60N60 , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS .

 

 
Back to Top

 


 
.