GT20G101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT20G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: IPAK
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GT20G101 datasheet
gt20g101.pdf
GT20G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT20G101 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8V (Max.) (I = 130A) CE (sat) C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V
gt20g102.pdf
GT20G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT20G102 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8.0V (Max.) CE(sat) (I = 130A) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 20
Otros transistores... GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , RJP30H2A , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 .
History: GT15J103 | GT20D101 | GT20G102 | GT20J301
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