GT20G101 - аналоги и описание IGBT

 

GT20G101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT20G101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для GT20G101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT20G101 даташит

 ..1. Size:179K  toshiba
 gt20g101.pdf pdf_icon

GT20G101

GT20G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT20G101 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8V (Max.) (I = 130A) CE (sat) C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V

 7.1. Size:194K  toshiba
 gt20g102.pdf pdf_icon

GT20G101

GT20G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT20G102 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8.0V (Max.) CE(sat) (I = 130A) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 20

Другие IGBT... GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , RJP30H2A , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 .

History: GT20G102 | GT20J301

 

 

 

 

↑ Back to Top
.