GT25G101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT25G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: IPAK
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GT25G101 datasheet
gt25g101.pdf
GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G101 Unit in mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Enhancement-Mode 20V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V
gt25g102.pdf
GT25G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G102 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8V (Max.) (I = 150A) CE (sat) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 20 V
Otros transistores... GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , SGT40N60NPFDPN , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 .
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