GT25G101 - аналоги и описание IGBT

 

GT25G101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT25G101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для GT25G101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT25G101 даташит

 ..1. Size:309K  toshiba
 gt25g101.pdf pdf_icon

GT25G101

GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G101 Unit in mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Enhancement-Mode 20V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 25 V

 7.1. Size:182K  toshiba
 gt25g102.pdf pdf_icon

GT25G101

GT25G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G102 Unit mm STROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage V = 8V (Max.) (I = 150A) CE (sat) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-Emitter Voltage VGES 20 V

Другие IGBT... GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , SGT40N60NPFDPN , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.