Справочник IGBT. GT25G101

 

GT25G101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT25G101

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 8V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 170A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 6000

Корпус: IPAK

Аналог (замена) для GT25G101

 

 

GT25G101 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , RJP30H1DPP-M0 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 .

Back to Top

 


GT25G101
  GT25G101
  GT25G101
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top