Справочник IGBT. GT25G101

 

GT25G101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT25G101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для GT25G101

 

 

GT25G101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  toshiba
 gt25g101.pdf

GT25G101 GT25G101

GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G101 Unit in mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Enhancement-Mode 20V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V

 7.1. Size:182K  toshiba
 gt25g102.pdf

GT25G101 GT25G101

GT25G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G102 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V = 8V (Max.) (I = 150A) CE (sat) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 20 V

Другие IGBT... GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , RJP30H1DPD , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 .

 

 
Back to Top