IHY30N160R2 Todos los transistores

 

IHY30N160R2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IHY30N160R2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 68.1 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IHY30N160R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
 ihy30n160r2 rev2 1.pdf pdf_icon

IHY30N160R2

IHY30N160R2 Soft Switching Series TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and fieldstop technology offers: GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NPT technology offer

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History: IXSN80N60BD1 | IXSA20N60B2D1 | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | RJH60C9DPD | NCE15TD60BD

 

 
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