IHY30N160R2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IHY30N160R2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: H30R1602
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 68.1 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 94 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IHY30N160R2 - IGBT
IHY30N160R2 Datasheet (PDF)
ihy30n160r2 rev2 1.pdf
IHY30N160R2 Soft Switching Series TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and fieldstop technology offers: GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NPT technology offer
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