Справочник IGBT. IHY30N160R2

 

IHY30N160R2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHY30N160R2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30R1602
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68.1 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 94 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHY30N160R2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHY30N160R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
 ihy30n160r2 rev2 1.pdf pdf_icon

IHY30N160R2

IHY30N160R2 Soft Switching Series TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and fieldstop technology offers: GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NPT technology offer

Другие IGBT... SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , GT30G122 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R .

 

 
Back to Top

 


 
.