IKU04N60R Todos los transistores

 

IKU04N60R IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IKU04N60R
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18 pF
   Paquete / Cubierta: TO251

 Búsqueda de reemplazo de IKU04N60R - IGBT

 

Principales características: IKU04N60R

 ..1. Size:1802K  infineon
 iku04n60r.pdf pdf_icon

IKU04N60R

IGBT IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage IKD04N60R, IKU04N60R 600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications Datasheet Industrial & Multimarket IKD04N60R, IKU04N60R TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage C Features TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

Otros transistores... IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R , GT30G122 , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 .

 

 
Back to Top

 


 
.