Справочник IGBT. IKU04N60R

 

IKU04N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKU04N60R
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K04R60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27 nC
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IKU04N60R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKU04N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1802K  infineon
 iku04n60r.pdf pdf_icon

IKU04N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD04N60R, IKU04N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD04N60R, IKU04N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

Другие IGBT... IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R , IRGB20B60PD1 , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 .

 

 
Back to Top

 


 
.