SGB04N60 Todos los transistores

 

SGB04N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGB04N60
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G04N60
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9.4 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 29 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 24 nC
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SGB04N60 Datasheet (PDF)

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SGB04N60

SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for: E- Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi

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SGB04N60

SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for: E- Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi

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