SGB04N60 - аналоги и описание IGBT

 

SGB04N60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGB04N60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGB04N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGB04N60 даташит

 ..1. Size:784K  infineon
 sgb04n60.pdf pdf_icon

SGB04N60

SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi

 ..2. Size:786K  infineon
 sgb04n60 .pdf pdf_icon

SGB04N60

SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi

Другие IGBT... IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , IRGB20B60PD1 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A .

History: MMG100SR060UZA | MMG100D120B6TN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.