SGB04N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGB04N60
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G04N60
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SGB04N60
SGB04N60 Datasheet (PDF)
sgb04n60.pdf
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for: E- Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi
sgb04n60 .pdf
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for: E- Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switchi
Другие IGBT... IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , IRG4PC40W , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107