SGB07N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGB07N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Encapsulados: TO263
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SGB07N120 datasheet
sgb07n120.pdf
SGB07N120 Fast IGBT in NPT-technology C lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - parallel switching capability Qualified
sgb07n120 .pdf
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