SGB07N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGB07N120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16.5 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Тип корпуса: TO263
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGB07N120 Datasheet (PDF)
sgb07n120.pdf
SGB07N120Fast IGBT in NPT-technology C lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D-PAK) - parallel switching capability Qualified
sgb07n120 .pdf
SGB07N120Fast IGBT in NPT-technology C lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D-PAK) - parallel switching capability Qualified
Другие IGBT... SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , IHW15N120R3 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 .
History: SGB06N60 | SGH10N120RUF | RJH6088BDPK | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IRGB4086 | IXBF12N300
History: SGB06N60 | SGH10N120RUF | RJH6088BDPK | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IRGB4086 | IXBF12N300
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344