SGB15N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGB15N60
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 139 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 31 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 84 pF
   Paquete / Cubierta: TO263

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SGB15N60 Datasheet (PDF)

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0.1. Size:813K infineon
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SGB15N60HS^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s GE Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability PG-TO-263-3-2 (D-PAK)- moderate Eoff increase with temperature (TO-263AB) - very tight parameter distri

0.2. Size:815K infineon
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