SGB15N60 - аналоги и описание IGBT

 

SGB15N60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGB15N60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 84 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGB15N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGB15N60 даташит

 ..1. Size:788K  infineon
 sgb15n60.pdf pdf_icon

SGB15N60

SGB15N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 -

 0.1. Size:813K  infineon
 sgb15n60hs.pdf pdf_icon

SGB15N60

SGB15N60HS ^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers - parallel switching capability PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - moderate Eoff increase with temperature (TO-263AB) - very tight parameter distri

 0.2. Size:815K  infineon
 sgb15n60hs .pdf pdf_icon

SGB15N60

SGB15N60HS ^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers - parallel switching capability PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - moderate Eoff increase with temperature (TO-263AB) - very tight parameter distri

 0.3. Size:791K  infineon
 sgb15n60g.pdf pdf_icon

SGB15N60

SGB15N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , FGH40N60SFD , SGW15N60 , SGB20N60 , SGW20N60 , SGB30N60 , SGW30N60 , SGP02N60 , SGP04N60 , SGP06N60 .

History: IGP01N120H2

 

 

 


 
↑ Back to Top
.