GT25Q301 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT25Q301
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: TO264
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GT25Q301 datasheet
gt25q301.pdf
GT25Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT25Q301 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Otros transistores... GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , FGA60N65SMD , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 .
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