GT25Q301 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT25Q301
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: TO264
- подбор IGBT транзистора по параметрам
GT25Q301 Datasheet (PDF)
gt25q301.pdf
GT25Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT25Q301 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Другие IGBT... GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT30F126 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 .
History: HGTD1N120BNS | IXGA48N60C3 | MMG400D060B6TC | BSM10GD120DN2 | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | BSM300GB120DLC
History: HGTD1N120BNS | IXGA48N60C3 | MMG400D060B6TC | BSM10GD120DN2 | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | BSM300GB120DLC
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242