GT25Q301 - аналоги и описание IGBT

 

GT25Q301 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT25Q301

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для GT25Q301

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT25Q301 даташит

 ..1. Size:175K  toshiba
 gt25q301.pdf pdf_icon

GT25Q301

GT25Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT25Q301 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 9.1. Size:225K  toshiba
 gt25q101.pdf pdf_icon

GT25Q301

Другие IGBT... GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , FGA60N65SMD , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.