SGI02N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGI02N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: GP02N120
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 62 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6.2 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 20 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 11 nC
   Paquete / Cubierta: TO262

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SGI02N120 Datasheet (PDF)

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SGP02N120 SGD02N120, SGI02N120Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-252-

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