SGI02N120 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: SGI02N120 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
Тип корпуса: TO262
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SGI02N120
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGI02N120 даташит
sgi02n120.pdf
SGP02N120 SGD02N120, SGI02N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-252-
sgp02n120 sgd02n120 sgi02n120.pdf
SGP02N120 SGD02N120, SGI02N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-252-
sgp02n120 sgd02n120 sgi02n120g.pdf
SGP02N120 SGD02N120, SGI02N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-252-
Другие IGBT... SGB30N60, SGW30N60, SGP02N60, SGP04N60, SGP06N60, SGP15N60, SGP20N60, SGP30N60, SGT40N60NPFDPN, SGP02N120, SGP07N120, SGP15N120, SGB15N60HS, SGW20N60HS, SGW30N60HS, SGW50N60HS, SGP20N60HS
History: SGP06N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet



