IGW03N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IGW03N120H2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9.6 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5.2 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24 pF
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de IGW03N120H2 - IGBT

IGW03N120H2 Datasheet (PDF)

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igp03n120h2 igw03n120h2.pdf

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