IGW03N120H2 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IGW03N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IGW03N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IGW03N120H2

IGW03N120H2 Datasheet (PDF)

..1. Size:336K infineon
igp03n120h2 igw03n120h2.pdf

IGP03N120H2 IGW03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis

..2. Size:341K infineon
igw03n120h2.pdf