GT40M101 Todos los transistores

 

GT40M101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT40M101

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: TO3P

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GT40M101 datasheet

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GT40M101

GT40M101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT40M101 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High input impedance High speed tf = 0.4 s (Max.) Low saturation voltage VCE(sat) = 3.4V (Max.) Enhancement mode type MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 900 V Gate-Emitter Voltage V

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GT40M101

GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The 3rd Generation FRD Included Between Emitter and Collector Enhancement-Mode High Speed IGBT t = 0.25 s (TYP.) f FRD trr = 0.7 s (TYP.) Low Saturation Voltage V = 3.4V (MAX.) CE (sat) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTE

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History: GT40M301 | GT10J311 | GT10Q311 | GA75TS60U

 

 

 

 

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