GT40M101 - аналоги и описание IGBT

 

GT40M101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT40M101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT40M101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT40M101 даташит

 ..1. Size:327K  toshiba
 gt40m101.pdf pdf_icon

GT40M101

GT40M101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT40M101 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High input impedance High speed tf = 0.4 s (Max.) Low saturation voltage VCE(sat) = 3.4V (Max.) Enhancement mode type MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 900 V Gate-Emitter Voltage V

 9.1. Size:259K  toshiba
 gt40m301.pdf pdf_icon

GT40M101

GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The 3rd Generation FRD Included Between Emitter and Collector Enhancement-Mode High Speed IGBT t = 0.25 s (TYP.) f FRD trr = 0.7 s (TYP.) Low Saturation Voltage V = 3.4V (MAX.) CE (sat) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTE

Другие IGBT... GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , RJP63F3DPP-M0 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.