Справочник IGBT. GT40M101

 

GT40M101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT40M101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GT40M101

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT40M101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  toshiba
 gt40m101.pdf pdf_icon

GT40M101

GT40M101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT40M101 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High input impedance High speed : tf = 0.4s (Max.) Low saturation voltage : VCE(sat) = 3.4V (Max.) Enhancement mode type MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 900 VGate-Emitter Voltage V

 9.1. Size:259K  toshiba
 gt40m301.pdf pdf_icon

GT40M101

GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The 3rd Generation FRD Included Between Emitter and Collector Enhancement-Mode High Speed IGBT : t = 0.25s (TYP.) fFRD : trr = 0.7s (TYP.) Low Saturation Voltage : V = 3.4V (MAX.) CE (sat)MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTE

Другие IGBT... GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , FGA60N65SMD , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 .

History: IRG4BH20K-L | MM40G3U65B

 

 
Back to Top

 


 
.