IGD06N60T IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGD06N60T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 88 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 28 pF
Encapsulados: TO252
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IGD06N60T datasheet
igd06n60t.pdf
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