IGD06N60T - аналоги и описание IGBT

 

IGD06N60T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGD06N60T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IGD06N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGD06N60T даташит

 ..1. Size:427K  infineon
 igd06n60t.pdf pdf_icon

IGD06N60T

IGD06N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution G E - high ruggedness, temperature stable beha

 0.1. Size:758K  infineon
 igd06n60trev2 1.pdf pdf_icon

IGD06N60T

IGD06N60T TrenchStop Series q Low Loss IGBT IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers E - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stabl

Другие IGBT... IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 , SGP30N60 , IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.