Справочник IGBT. IGD06N60T

 

IGD06N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGD06N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G06T60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 42 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IGD06N60T

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGD06N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  infineon
 igd06n60t.pdf pdf_icon

IGD06N60T

IGD06N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT: IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features: Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution GE - high ruggedness, temperature stable beha

 0.1. Size:758K  infineon
 igd06n60trev2 1.pdf pdf_icon

IGD06N60T

IGD06N60T TrenchStop Series q Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Features: C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s G TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : E - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stabl

Другие IGBT... IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 , IRGP4066D , IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T .

 

 
Back to Top

 


 
.