SIW50N65G2H2G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW50N65G2H2G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 116 pF
Encapsulados: TO247
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SIW50N65G2H2G datasheet
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