SIW50N65G2H2G Todos los transistores

 

SIW50N65G2H2G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIW50N65G2H2G
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 116 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 105 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SIW50N65G2H2G Datasheet (PDF)

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SIW50N65G2H2G

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2H2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2H2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)

 4.1. Size:709K  cn super semi
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SIW50N65G2H2G

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2L2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2L2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)

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