SIW50N65G2H2G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW50N65G2H2G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 116 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SIW50N65G2H2G - IGBT
SIW50N65G2H2G Datasheet (PDF)
siw50n65g2h2g.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2H2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2H2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)
siw50n65g2l2g.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2L2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2L2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)
Otros transistores... AUIRGP35B60PD , AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D , AUIRGP4063D , AUIRGP4066D1 , AUIRGP50B60PD1 , AUIRGPS4067D1 , AUIRGR4045D , IRG4PF50W , AUIRGS30B60K , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2