SIW50N65G2H2G - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SIW50N65G2H2G
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 116 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SIW50N65G2H2G
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SIW50N65G2H2G даташит
Другие IGBT... AUIRGP35B60PD , AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D , AUIRGP4063D , AUIRGP4066D1 , AUIRGP50B60PD1 , AUIRGPS4067D1 , AUIRGR4045D , FGL60N100BNTD , AUIRGS30B60K , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r