IRG4PC50SD Todos los transistores

 

IRG4PC50SD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRG4PC50SD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.28 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRG4PC50SD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1836K  international rectifier
 irg4pc50sdpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

 5.1. Size:167K  international rectifier
 irg4pc50s.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Standard: Optimized for minimum saturationVCES = 600V voltage and low operating frequencies (

 5.2. Size:144K  international rectifier
 irg4pc50s-p.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S-PStandard Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Standard: Optimized for minimum saturationVCES = 600V voltage and low operating frequencies (

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History: HGTG40N60C3 | HGTG12N60C3DR | IRG7PH42U | HGT1S12N60B3S | IXGR120N60C2 | HGTG12N60A4D

 

 
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