IRG4PC50SD - аналоги и описание IGBT

 

IRG4PC50SD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG4PC50SD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.28 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG4PC50SD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC50SD даташит

 0.1. Size:1836K  international rectifier
 irg4pc50sdpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

 5.1. Size:167K  international rectifier
 irg4pc50s.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S I T I T D T I T I T Features C Features Features Features Features Standard Optimized for minimum saturation VCES = 600V voltage and low operating frequencies (

 5.2. Size:144K  international rectifier
 irg4pc50s-p.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S-P Standard Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Features Features Features Features Standard Optimized for minimum saturation VCES = 600V voltage and low operating frequencies (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC40WL , IRG4BC40WS , IRG4BH20K-L , IRG4BH20K-S , IRG4IBC10UD , IRG4IBC30S , IRG4PC20U , IRG4PC50F-E , FGH60N60SMD , IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.