Справочник IGBT. IRG4PC50SD

 

IRG4PC50SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4PC50SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.28 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRG4PC50SD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC50SD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1836K  international rectifier
 irg4pc50sdpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

 5.1. Size:167K  international rectifier
 irg4pc50s.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Standard: Optimized for minimum saturationVCES = 600V voltage and low operating frequencies (

 5.2. Size:144K  international rectifier
 irg4pc50s-p.pdf pdf_icon

IRG4PC50SD

D IRG4PC50S-PStandard Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Standard: Optimized for minimum saturationVCES = 600V voltage and low operating frequencies (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC40WL , IRG4BC40WS , IRG4BH20K-L , IRG4BH20K-S , IRG4IBC10UD , IRG4IBC30S , IRG4PC20U , IRG4PC50F-E , MBQ60T65PES , IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD .

History: GT25J101

 

 
Back to Top

 


 
.