IRG6B330UD Todos los transistores

 

IRG6B330UD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRG6B330UD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.18 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 85 nC
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRG6B330UD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  international rectifier
 irg6b330ud.pdf pdf_icon

IRG6B330UD

PD - 96304IRG6B330UDPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 70A 1.69 VCircuits in PDP ApplicationsIRP max @ TC= 25C A250l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor Improved Panel Efficiencyl High Repetitive Peak Current CapabilityCl L

Otros transistores... IRG4PC50SD , IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IXGH60N60 , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U .

History: TGAN25N120ND | IRG4PSH71KD | IRG4ZC70UD

 

 
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