IRG6B330UD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRG6B330UD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.18 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRG6B330UD - IGBT
IRG6B330UD Datasheet (PDF)
irg6b330ud.pdf
PD - 96304IRG6B330UDPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 70A 1.69 VCircuits in PDP ApplicationsIRP max @ TC= 25C A250l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor Improved Panel Efficiencyl High Repetitive Peak Current CapabilityCl L
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Liste
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