IRG6B330UD Todos los transistores

 

IRG6B330UD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRG6B330UD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.18 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF

Encapsulados: TO220AB

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IRG6B330UD datasheet

 ..1. Size:270K  international rectifier
 irg6b330ud.pdf pdf_icon

IRG6B330UD

PD - 96304 IRG6B330UDPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 70A 1.69 V Circuits in PDP Applications IRP max @ TC= 25 C A 250 l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for Improved Panel Efficiency l High Repetitive Peak Current Capability C l L

Otros transistores... IRG4PC50SD , IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , FGA25N120ANTD , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U .

 

 

 


 
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