Справочник IGBT. IRG6B330UD

 

IRG6B330UD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG6B330UD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.18 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 141 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 85 nC
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRG6B330UD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG6B330UD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  international rectifier
 irg6b330ud.pdf pdf_icon

IRG6B330UD

PD - 96304IRG6B330UDPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 70A 1.69 VCircuits in PDP ApplicationsIRP max @ TC= 25C A250l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor Improved Panel Efficiencyl High Repetitive Peak Current CapabilityCl L

Другие IGBT... IRG4PC50SD , IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , RJP30E2DPP-M0 , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U .

 

 
Back to Top

 


 
.