IRGB20B60PD1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRGB20B60PD1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF

Encapsulados: TO220AB

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRGB20B60PD1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRGB20B60PD1 datasheet

 ..1. Size:355K  international rectifier
 irgb20b60pd1.pdf pdf_icon

IRGB20B60PD1

PD - 94613A SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158m E NPT Technology, P

Otros transistores... IRG7R313U, IRG7S313U, IRG7S319U, IRG7SC12F, IRG7SC28U, IRGB10B60KD, IRGB14C40L, IRGB15B60KD, CRG75T65AK5HD, IRGB30B60K, IRGB4045D, IRGB4056D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, IRGB4062D, IRGB4064D