IRGB20B60PD1 Todos los transistores

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IRGB20B60PD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRGB20B60PD1

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 215W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.35V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRGB20B60PD1 Datasheet (PDF)

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PD - 94613 SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158m? E NPT Technology, Positive Temperat

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PD - 94613A SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V • Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A • PFC and ZVS SMPS Circuits • Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET • Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158mΩ E • NPT Technology, P

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