IRGB20B60PD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 215
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 5
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 95
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 68
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRGB20B60PD1 - IGBT
IRGB20B60PD1 Datasheet (PDF)
irgb20b60pd1.pdf
PD - 94613ASMPS IGBT IRGB20B60PD1WARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VApplicationsVCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS@ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFET Consumer Electronics Power SuppliesGParameters Features RCE(on) typ. = 158mE NPT Technology, P
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Liste
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