IRGB20B60PD1 Todos los transistores

 

IRGB20B60PD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGB20B60PD1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 68 nC
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRGB20B60PD1 datasheet

 ..1. Size:355K  international rectifier
 irgb20b60pd1.pdf pdf_icon

IRGB20B60PD1

PD - 94613A SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158m E NPT Technology, P

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