Справочник IGBT. IRGB20B60PD1

 

IRGB20B60PD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB20B60PD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 68 nC
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRGB20B60PD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB20B60PD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  international rectifier
 irgb20b60pd1.pdf pdf_icon

IRGB20B60PD1

PD - 94613ASMPS IGBT IRGB20B60PD1WARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VApplicationsVCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS@ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFET Consumer Electronics Power SuppliesGParameters Features RCE(on) typ. = 158mE NPT Technology, P

Другие IGBT... IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , CRG40T60AK3HD , IRGB30B60K , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D .

 

 
Back to Top

 


 
.