IRGB20B60PD1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGB20B60PD1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGB20B60PD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB20B60PD1 даташит

 ..1. Size:355K  international rectifier
 irgb20b60pd1.pdf pdf_icon

IRGB20B60PD1

PD - 94613A SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158m E NPT Technology, P

Другие IGBT... IRG7R313U, IRG7S313U, IRG7S319U, IRG7SC12F, IRG7SC28U, IRGB10B60KD, IRGB14C40L, IRGB15B60KD, CRG40T60AK3HD, IRGB30B60K, IRGB4045D, IRGB4056D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, IRGB4062D, IRGB4064D