IRGB20B60PD1 - аналоги и описание IGBT

 

IRGB20B60PD1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IRGB20B60PD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRGB20B60PD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IRGB20B60PD1

 ..1. Size:355K  international rectifier
 irgb20b60pd1.pdf pdf_icon

IRGB20B60PD1

PD - 94613A SMPS IGBT IRGB20B60PD1 WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Features RCE(on) typ. = 158m E NPT Technology, P

Другие IGBT... IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , CRG40T60AK3HD , IRGB30B60K , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D .

 

 
Back to Top

 


 
.