IRGB30B60K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGB30B60K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 370 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 78 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 102 nC
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRGB30B60K IGBT
IRGB30B60K Datasheet (PDF)
irgb30b60k.pdf

PD - 94799AIRGB30B60KIRGS30B60KIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeaturesIC = 50A, TC=100C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.at TJ=175C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperature rated at 175C.VCE(on) typ.
Otros transistores... IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IRGP4066D , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 .
History: STGWA25S120DF3
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