IRGB30B60K Todos los transistores

 

IRGB30B60K IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGB30B60K
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 370 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 78 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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Principales características: IRGB30B60K

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irgb30b60k.pdf pdf_icon

IRGB30B60K

PD - 94799A IRGB30B60K IRGS30B60K IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features IC = 50A, TC=100 C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. at TJ=175 C 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E Maximum Junction Temperature rated at 175 C. VCE(on) typ.

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