IRGB30B60K Todos los transistores

 

IRGB30B60K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGB30B60K
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 370 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 78 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 102 nC
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRGB30B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irgb30b60k.pdf pdf_icon

IRGB30B60K

PD - 94799AIRGB30B60KIRGS30B60KIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeaturesIC = 50A, TC=100C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.at TJ=175C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperature rated at 175C.VCE(on) typ.

Otros transistores... IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IKW30N60H3 , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 .

History: IRG4PC50KD | FGD3N60LSD | IXGH40N30S | STGWT40V60DLF

 

 
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