Справочник IGBT. IRGB30B60K

 

IRGB30B60K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB30B60K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRGB30B60K

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB30B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irgb30b60k.pdf pdf_icon

IRGB30B60K

PD - 94799AIRGB30B60KIRGS30B60KIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeaturesIC = 50A, TC=100C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.at TJ=175C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperature rated at 175C.VCE(on) typ.

Другие IGBT... IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IKW30N60H3 , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 .

History: RJH60D6DPM

 

 
Back to Top

 


 
.