IRGB30B60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGB30B60K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGB30B60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB30B60K даташит

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irgb30b60k.pdf pdf_icon

IRGB30B60K

PD - 94799A IRGB30B60K IRGS30B60K IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features IC = 50A, TC=100 C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. at TJ=175 C 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E Maximum Junction Temperature rated at 175 C. VCE(on) typ.

Другие IGBT... IRG7S313U, IRG7S319U, IRG7SC12F, IRG7SC28U, IRGB10B60KD, IRGB14C40L, IRGB15B60KD, IRGB20B60PD1, IRG7IC28U, IRGB4045D, IRGB4056D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, IRGB4062D, IRGB4064D, IRGB4086