IRGB5B120KD Todos los transistores

 

IRGB5B120KD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGB5B120KD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 33 pF
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRGB5B120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  international rectifier
 irgb5b120kd.pdf pdf_icon

IRGB5B120KD

PD - 94385FIRGB5B120KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures VCES = 1200V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 6.0A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coeffici

Otros transistores... IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , GT30F125 , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD .

History: SKW20N60 | GT50J325 | GT60J323 | IRG4PC30F | SGB15N60 | SGW25N120 | HGTG34N100E2

 

 
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