IRGB5B120KD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGB5B120KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 33 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 25 nC
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRGB5B120KD IGBT
IRGB5B120KD Datasheet (PDF)
irgb5b120kd.pdf

PD - 94385FIRGB5B120KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures VCES = 1200V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 6.0A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coeffici
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