Справочник IGBT. IRGB5B120KD

 

IRGB5B120KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB5B120KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 33 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25 nC
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRGB5B120KD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB5B120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  international rectifier
 irgb5b120kd.pdf pdf_icon

IRGB5B120KD

PD - 94385FIRGB5B120KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures VCES = 1200V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 6.0A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coeffici

Другие IGBT... IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , RJH60F5DPQ-A0 , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD .

History: SGB15N60

 

 
Back to Top

 


 
.