IRGB5B120KD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGB5B120KD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 33 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGB5B120KD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB5B120KD даташит

 ..1. Size:330K  international rectifier
 irgb5b120kd.pdf pdf_icon

IRGB5B120KD

PD - 94385F IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 1200V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 6.0A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coeffici

Другие IGBT... IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, IRGB4062D, IRGB4064D, IRGB4086, IRGB4B60K, IRGB4B60KD1, IRG4PC50UD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K, IRGI4086, IRGI4090, IRGIB10B60KD1, IRGIB15B60KD1, IRGIB6B60KD