GT50S101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT50S101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de GT50S101 - IGBT
GT50S101 Datasheet (PDF)
aptgt50sk120d1.pdf
APTGT50SK120D1 VCES = 1200V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80C Trench IGBT Power Module Application 3Q1 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies 4Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology 1- Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 2- Low leakage
aptgt50sk170d1.pdf
APTGT50SK170D1 VCES = 1700V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80C Trench IGBT Power Module Application AC and DC motor control 3 Switched Mode Power Supplies Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 1Q2- Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz 6- Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 7- Low leakage cur
Otros transistores... GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , GT30F126 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2