GT50S101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT50S101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Encapsulados: TO264
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GT50S101 datasheet
aptgt50sk120d1.pdf
APTGT50SK120D1 VCES = 1200V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application 3 Q1 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies 4 Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology 1 - Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 2 - Low leakage
aptgt50sk170d1.pdf
APTGT50SK170D1 VCES = 1700V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application AC and DC motor control 3 Switched Mode Power Supplies Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 1 Q2 - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz 6 - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 7 - Low leakage cur
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